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我国半导体SiC单晶粉料和设备生产实现新突破

2018-06-20 01:29:00来源:北京赛车门户网

  6月5日,在中国电子科技集团公司第二研讨所(简称中国电科二所)消费大楼内,100台碳化硅(SiC)单晶生长设备正在高速运转,SiC单晶就在这100台设备里“奋力”生长。

  中国电科二所第一事业部主任李斌说:“这100台SiC单晶生长设备和粉料都是咱们自主研发和消费的。咱们很自豪,正好咱们自己能消费了。”

  SiC单晶是第三代半导体资料,以其特有的大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率等特性, 成为制造高温、高频、大功率、抗辐照、短波发光及光电集成器件的理想资料,是新一代雷达、卫星通讯、高压输变电、轨道交通、电动汽车、通讯基站等重要范畴的中心资料,具有重要的应用价值和宽广的应用前景。

  中国电科二所第一事业部主任李斌说:“高纯SiC粉料是SiC单晶生长的关键原资料,单晶生长炉是SiC单晶生长的中心设备,要想生长出高质量的SiC单晶,在具备高纯SiC粉料和单晶生长炉条件下,还需求抵消费工艺中止设计、调试和优化。”

  据引见,单晶生长炉需求抵达高温、高真空、高洁净度的请求,目前国内只需两家能消费单晶生长炉,中国电科二所是其中之一。他们突破了大直径SiC生长的温场设计,完成可用于150mm直径SiC单晶生长炉高极限真空、低背景漏率生长炉设计制造及小批量消费;他们还突破了高纯SiC粉料中的杂质控制技术、粒度控制技术、晶型控制技术等关键技术,完成了99.9995%以上纯度的SiC粉料的批量消费。(记者王海滨)